岗位职责
负责150nm~55nm HVCMOS相关器件开发,作为器件专家,能够独立或者带领团队完成以下工作:
- 制定设计规则(Design Rule);
- 制定并完成工艺和器件调试相关的tapeout工作;
- 分析器件性能且能够提出器件调试和改进计划。
职位要求
- 全日制硕士及以上学历
- 微电子、电子、集成电路、材料、物理、光学等专业
- 三年以上8/12寸HVCMOS器件研发或者五年HVCMOS器件相关研发经验
负责150nm~55nm HVCMOS相关器件开发,作为器件专家,能够独立或者带领团队完成以下工作:
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中芯国际器件研发专家(J10867)