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Memory design expert(J10424)

中芯国际

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岗位职责

"

  1. Proficient in transistor-level circuit design, with a solid foundation for circuit expertise
  2. Have strong business acumen, problem-solving ability, and teamwork ability; pursue excellence and work well under high pressure"

职位要求

  1. Master's or Doctoral
  2. Microelectronics and electronics related majors
  3. More than 5 years of relevant working experience in memory circuit design (SRAM, ROM, DRAM, FLASH, Register file etc), FINFET circuit design or SRAM Memory compiler design experience is preferred

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