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薄膜工艺研发专家 TD Thin Film Process Expert(J21187)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市、北京市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 工艺实验设计与优化: 主导CVD/PVD/ALD薄膜沉积工艺实验设计(DOE),优化温度、压力、气体比例等参数,提升薄膜均匀性、粘附性及电学性能,解决缺陷与颗粒污染问题;
  2. 新型薄膜材料开发: 主导新型介质薄膜材料的工艺开发,精准控制厚度、应力与成分,满足制程节点对材料特性的技术需求,推动工艺窗口扩展;
  3. 前沿技术研究与落地: 主导原子层沉积(ALD)等前沿工艺的预研与验证,识别工艺瓶颈并迭代沉积方案,支撑良率与电性目标的达成;
  4. 跨团队关联建模: 拉通整合、量测与器件团队,建立薄膜性能与器件电性的关联模型,基于仿真与测试数据完善工艺-器件协同优化流程;
  5. 技术沉淀与人才培养: 主导新技术从研发到量产的转移,制定工艺规范与控制标准,撰写技术专利与论文,并承担青年工程师的技术能力培养工作。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,材料科学/化学工程/物理/微电子等相关专业,博士优先,具备薄膜生长机理与材料特性(应力、介电常数等)的专业知识;
  2. 专业技能与资格:能独立操作CVD/ALD/PVD中的至少两项设备完成工艺调试,使用椭偏仪、XRD、XRF等量测设备完成薄膜特性表征,运用JMP或Python完成DOE数据分析与结果建模;
  3. 行业与专业经验:具备8年以上半导体薄膜工艺研发经验,有完整薄膜工艺开发与量斗转移的成功案例;
  4. 项目/任务成果:主导过至少2个薄膜材料开发或工艺改进项目,成功解决关键厚度偏差、应力失控或颗粒缺陷问题,形成标准化工艺文档与知识产权;
  5. 其他要求:具有创新性思维与复杂技术问题深挖韧性,具备跨团队协作与项目管理能力,能多任务并行推进并保持交付质量。

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