部门介绍
聚焦存算一体芯片设计，主要围绕AI大模型应用场景进行高能效计算技术创新，设计多款基于存算一体架构的高能效AI芯片，突破传统冯・诺依曼架构下的 "内存墙" 瓶颈，提升能效比、降低算力成本。团队具备独立流片与量产落地能力，累计申请专利近300项，核心专利覆盖“底层器件-核心架构-工程落地”全流程。同时与字节各团队算力需求整体协同，更好的发挥存算一体芯片的技术价值，共同为AI业务提供高能效算力底座。
- 负责NAND介质与控制器协同测试方案设计，主导固态存储产品NAND闪存（SLC/MLC/TLC/QLC等）与控制器（NAND控制器/SSD控制器）协同特性测试方案制定；
- 负责介质特性与控制器适配测试执行，老化筛选体系搭建与控制器关联优化；
- 负责测试数据深度分析与控制器适配支撑，失效分析与控制器-介质协同优化；
- 负责测试流程标准化与文档管理，编制NAND介质与控制器协同测试规范、老化筛选作业指导书等文档，输出介质特性与控制器适配性分析报告，为控制器架构设计、固件FTL算法优化提供针对性建议；
- 负责量产与供应链协同及控制器适配支持，协助解决量产中出现的介质与控制器协同相关的质量问题。
岗位职责
招聘官网暂未提供完整岗位职责，请前往官网核实。
职位要求
- 本科及以上学历，微电子科学与工程、电子科学与技术、计算机应用、自动化等相关专业；
- 5年及以上NAND/NOR闪存测试、SSD/UFS产品可靠性测试或老化筛选测试工作经验，具备NAND控制器/SSD控制器相关知识储备，有汽车级或数据中心级存储产品测试经验者优先；
- 具有介质与控制器知识，熟悉控制器与NAND的交互协议及时序要求；
- 优先有NAND控制器/SSD控制器研发或测试经验，熟悉存储原厂产品架构；
- 具有责任心，良好的跨部门沟通协作能力及快速学习能力。
