部门介绍
聚焦存算一体芯片设计，主要围绕AI大模型应用场景进行高能效计算技术创新，设计多款基于存算一体架构的高能效AI芯片，突破传统冯・诺依曼架构下的 "内存墙" 瓶颈，提升能效比、降低算力成本。团队具备独立流片与量产落地能力，累计申请专利近300项，核心专利覆盖“底层器件-核心架构-工程落地”全流程。同时与字节各团队算力需求整体协同，更好的发挥存算一体芯片的技术价值，共同为AI业务提供高能效算力底座。
- 根据芯片设计及工艺编制可靠性测试方案，实施可靠性测试、数据分析与处理，编写测试报告；
- 根据产品需要开展系统级可靠性、老化测试方案设计及测试；
- 参与研发阶段DFR，提升相关电路的可靠性设计；
- 对接客户可靠性需求，提供可靠性数据支持及技术解决方案，参与客户审核及问题闭环；
- 建立和维护产品可靠性数据库，为产品设计优化和质量提升提供数据支持；
- 开展芯片可靠性的研究及标准的制定。
岗位职责
招聘官网暂未提供完整岗位职责，请前往官网核实。
职位要求
- 本科及以上学历，微电子、材料科学、电子工程等相关专业；
- 5年以上芯片可靠性工程经验，熟悉NOR Flash/NAND Flash存储芯片特性及可靠性挑战；
- 熟悉产品（系统级）可靠性测试、老化测试设计与方法，并具有一定的测试机台或板子调试经验；
- 熟悉AEC-Q101/104、JEDEC等可靠性相关标准规范、试验方法；了解晶圆相关工艺，半导体器件级工艺，熟悉统计过程控制，可靠性原理等；
- 对新技术和新方法有较强的学习能力，关注行业可靠性发展动态；
- 出色的跨部门沟通能力，协调软硬件设计、工艺、测试团队推动问题解决。
