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存储电性失效分析专家-DRAM Electrical Failure Analysis Expert(J18488)

长鑫存储技术有限公司

  • 上海市、安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 主导DRAM电性失效分析及电路原理拆解,提供技术性指导,推动失效根因定位与闭环;
  2. 掌握DRAM测试pattern sequence原理及模拟验证方法,并能对团队进行技术性指导。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子及相关专业,具备扎实的半导体器件与DRAM电路原理知识;
  2. 专业技能与资格:深入了解电性分析相关机台操作与原理;精通core timing及SA operation;
  3. 行业与专业经验:10年以上DRAM电性失效分析经验,熟悉DRAM电路模块功能,包括Fuse电路、array模块和periphy data path模块;
  4. 项目/任务成果:主导过至少2个DRAM电性失效分析项目,成功定位并闭环关键失效问题;
  5. 其他要求:具有技术指导能力,能主动识别技术瓶颈并推动团队解决。

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