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DRAM电路设计工程师-DRAM Circuit Design Engineer(J21562)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市、上海市
  • 电路设计类

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岗位职责

  1. 存储架构评估与优化:评估并优化前沿技术中的存储架构与方法论,推动产品性能与效率提升;
  2. 全定制电路设计:设计存储产品中IP模块的全定制电路,确保电路性能与功耗目标达成;
  3. 功能与性能验证分析:对存储器的功能与性能进行仿真、验证与分析,确保设计满足规格要求;
  4. 版图设计与验证管控:监督版图设计与验证流程,包括floor-planning、布局布线及物理验证;
  5. 硅片调试支持:为产品工程团队提供硅片调试的技术支持,推动问题定位与解决。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、集成电路或相关专业毕业,深入理解数字/模拟电路及CMOS器件物理;
  2. 专业技能与资格:能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA工具完成电路设计与仿真,具备混合信号电路设计与验证经验,包括电路实现、时序分析与优化;
  3. 行业与专业经验:有存储器设计经验者优先,有DDR/LPDDR DRAM产品设计与验证经验者优先;
  4. 项目/任务成果:主导或深度参与过至少一款存储芯片的全定制电路设计,包括从架构评估到版图验证的完整流程;有ASIC设计背景(如RTL编码、STA等)者优先;
  5. 其他要求:具有良好的团队协作与沟通能力,学习能力强,能在灵活、动态的环境中保持自驱力。

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