岗位职责
- 负责先进逻辑器件开发、先进modeling开发、TCAD仿真、Sram设计与优化、DTCO迭代与优化、与design团队对接、协同读写辅助电路设计与优化、PDK交付等；
- 负责多物理场仿真、预测和校准多场效应对Sram性能的影响，及根据结果反馈Sram器件团队进行性能优化；
- 负责各种bit失效模式分析、根因探索与分析、多物理场失效机理研究、variability统计分析、tail bit降低与优化、量化分析和闭环解决。
职位要求
- 硕士研究生及以上学历，微电子，物理，材料等工科相关专业；
- 6年及以上Device、PIE、Design 相关经验（优秀者可放宽条件）；
- 具有FinFET/Gaa/4F2/6F2 DRAM器件、TCAD仿真、电路仿真、DTCO、电路设计经验者优先；
- 工作态度积极认真，具有良好的团队协作能力；
- 具备良好的数据分析能力，良好的报告书写和讲演能力。
