岗位职责
- SADP/SAQP工艺开发与维护：主导自对准双重/四重图形化工艺的研发验证与量产转移，制定光刻及刻蚀关键工艺窗口并维护稳定运行，保障关键尺寸均匀度与缺陷管控达标；
- 工艺窗口优化与良率提升：分析SADP/SAQP流程中各步骤的工艺敏感度及交互作用，主导DOE实验优化沉积、刻蚀与清洗等模块的参数组合，拉通相关团队解决良率偏移问题；
- 光刻-刻蚀联动问题解析：识别SADP/SAQP中芯层沉积、侧壁保护层形成及转移刻蚀等环节的工艺偏差，主导失效根因分析，推动设备与材料端的综合改善；
- 新材料与新方案评估：评估应用于SADP/SAQP的新型光刻胶、硬掩模材料及沉积方法的可行性，主导前期适配测试与工艺整合验证，为技术迭代提供决策依据；
- 技术规范与知识传承：建立SADP/SAQP工艺设计规范及检测标准，编制技术档案与操作指导，培养初阶工程师的图形化工艺理解与异常排查能力。
职位要求
- 教育背景与专业知识：本科及以上学历，化学、物理、微电子或相关理工科背景，具备等离子体及表面化学基础；
- 专业技能与资格：能独立完成干法清洗机台的工艺调试与故障分析，具备使用表面分析工具（如SEM/EDS, XPS）评估清洗效果的能力；
- 行业与
- 教育背景与专业知识：本科及以上学历，微电子、物理、材料或相关理工科背景，具备等离子体刻蚀与薄膜沉积理论基础；
- 专业技能与资格：能独立完成SADP/SAQP相关设备的工艺参数调试及异常排查，具备CDSEM、OCD等量测工具的数据分析能力；
- 行业与专业经验：具备5年以上半导体行业光刻或刻蚀工艺经验，其中至少2年以上多重图形化工艺开发或量产经验；
- 项目/任务成果：主导过至少1个SADP或SAQP工艺从研发到量产的完整转移项目，形成有效的工艺窗口与良率数据记录；
- 其他要求：具有较强的跨部门协作及技术攻坚能力，能在复杂工艺交互中保持系统性思维并推动多方资源达成目标。专业经验：具备5年以上半导体行业干法清洗工艺或设备工作经验，有HK（Hard Mask或高k材料）相关清洗经验者为佳；
- 项目/任务成果：主导过至少2次干法清洗工艺窗口拓展或缺陷改善项目，形成有效的数据闭环与改善案例；
- 其他要求：具备较强的实验设计与数据分析能力，能在多团队合作中主动推进技术决策与实施闭环。
