岗位职责
- 图形分析与筛选： 主导Pattern Select、Pattern Match、Pattern Grouping工作，从版图设计或OPC LMC热点出发，提取并归类关键图形，支撑工艺窗口的定向优化；
- 数据采集与量测分析： 统筹晶圆图像数据采集，利用SEM、EP
- KLA BFI/EBI等工具完成图形量测，统计CDU及热点缺陷误差（含ADI/AEI/ASI阶段），输出量测报告并推动数据驱动的工艺改善；
- 热点与硬缺陷识别： 主导Die-to-DB对比、热点识别、Contour抽取及图像分析，利用BFI图像分析叠层缺失（Missing）、额外物（Extra）等硬缺陷，闭环定位问题并反馈至OPC Layer Sponsor；
- 版图与工艺协同验证： 联动PIE及YE团队，从OPC或工艺缺陷出发增补二维量测，评估图形对CD误差的影响，为掩模修正提供数据驱动的改善建议；
- 验证流程迭代： 基于验证结果梳理工艺弱项，主导检测方法论的优化与标准化，开发自动化脚本提升分析效率，持续强化图形层面自检与闭环能力。
职位要求
- 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子/物理/材料/集成电路等理工类专业，具备半导体光刻与OPC基础原理知识；
- 专业技能与资格：能独立完成KLA BFI/EBI、SEM、EP5等量测工具的Recipe建立与数据分析，具备图像分析及Contour处理软件的操作能力，能使用Python等脚本语言完成数据的批量处理；
- 行业与专业经验：具备8年以上半导体制造领域OPC验证或光刻相关岗位经验，有图形筛选、CDU统计及热点缺陷分析的实际项目经历；
- 项目/任务成果：主导过至少2个图形层面CIP验证项目，成功识别并闭环工艺热点或硬缺陷问题，形成可复用的分析模板并输出标准化文档；
- 其他要求：具有跨团队协同与问题闭环能力，能主动对接OPC Layer Sponsor及PIE团队，推动验证结论快速转化为掩模或工艺优化方案。
