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DRAM电路和特性分析工程师 -DRAM Circuit And Characteristic Analysis Engineer(J13161)

长鑫存储技术有限公司

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  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 根因分析与问题定位:主导新产品研发阶段的电路失效根因分析,深入理解电路功能与性能,制定有效的测试方法并提升测试覆盖率;
  2. FIB方案设计与验证:主导FIB方案确认,定位电路问题原因,制定并验证改版措施,确保问题闭环;
  3. 客退品问题分析:主导客退品问题分析,定位具体缺陷位置,输出分析报告并驱动设计或制程改善。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:本科及以上学历,微电子、自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业,具备扎实的半导体器件与集成电路基础;
  2. 专业技能与资格:具备C语言或汇编语言编程能力,能完成测试脚本开发与数据分析,有电路设计基础、Verilog基础及电路仿真经验者优先;
  3. 行业与专业经验:具有3年以上半导体或芯片相关领域工作经验,包括电路设计、测试或硬件开发经验,有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先;
  4. 项目/任务成果:能独立主导电路失效分析项目,运用FIB等分析手段定位问题并驱动改善措施落地;
  5. 其他要求:具有结构化的问题推理与实验设计能力,能跨团队协作推进项目闭环并输出清晰的技术报告。

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