岗位职责
- 主导DRAM芯片及封装产品的电性失效分析，制定逻辑完善的失效分析方案，输出系统性分析报告；
- 基于ADVANTEST机台Memory测试功能，制定并优化测试方案，深入分析测试数据定位故障模式；
- 执行静态与动态电性失效分析，依据故障模式通过电性分析与验证，精确定位可能的故障物理位置；
- 通过电路布局追踪与分析，建立失效隔离位置与故障模式之间的关联性，驱动设计或制程改善；
- 与设计、制造、测试、品保等部门协同，推动产品质量提升，对内外部人员开展电性分析技术培训。
职位要求
- 教育背景与专业知识：全日制本科及以上学历，微电子/半导体物理等理工科专业，具备半导体器件物理与集成电路基础；
- 专业技能与资格：能操作ADVANTEST、示波器等电性分析设备，能独立完成测试方案设计与数据解析，能读懂电路图及PCB版图者优先；
- 行业与专业经验：熟悉晶圆制造工艺或封装工艺，有集成电路产业电性失效分析或产品测试经验者优先，有芯片EFA和PFA经验者优先；
- 其他要求：具有结构化的分析解决问题能力，能跨团队协作推动失效分析项目闭环并及时输出技术报告。
