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缺陷改善研发专家/主任工程师-TD Defect Improvement Expert/Staff Engineer(J18357)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 缺陷体系建立: 主导研发阶段缺陷分类与检测体系构建,制定缺陷监控方案与检测标准,建立涵盖工艺层、设备层与产品层的缺陷数据库,支撑良率快速爬坡;
  2. 缺陷根因定位: 主导重大缺陷问题的根因分析与闭环,结合缺陷扫描、SEM复查及材料分析工具定位失效源头,区分工艺性与系统性缺陷类型并输出针对性改善建议;
  3. 改善方案推动: 联动模块工艺、设备与整合团队,主导缺陷改善方案的设计、验证与落地,量化评估改善成效,推动缺陷密度持续下降;
  4. 良率联动提升: 建立缺陷与电性数据的关联分析模型,识别关键缺陷对器件性能与良率的影响机制,输出数据驱动的工艺窗口优化建议;
  5. 技术沉淀与预警: 主导构建缺陷失效模式库与预警规则,推动检测与分类的自动化,沉淀技术文档与案例库,提升团队缺陷响应能力。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,材料科学/物理/微电子/化学工程等理工科专业,具备半导体制造工艺与器件物理基础知识;
  2. 专业技能与资格:能独立操作SEM/EDX、光学缺陷检测等设备完成缺陷形貌与成分分析,能独立完成大批量缺陷数据的分类与统计分析,运用Python/JMP等工具完成数据建模与机理整合分析;
  3. 行业与专业经验:具备8年以上半导体领域工作经验,其中5年以上缺陷改善、良率提升或工艺整合经验,有存储或逻辑芯片缺陷专项治理经验者优先;
  4. 项目/任务成果:主导过至少2个缺陷改善专项项目,成功将关键缺陷密度降低30%以上,或有效破除良率瓶颈,形成标准化改善方案与案例;
  5. 其他要求:具有活跃的体系化分析思维与创新能力,具备跨部门协同推进能力,能面向突发异常时段持续保持抓根因的韧性与推进的节奏。

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