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DRAM电路设计工程师(DFT)-DRAM Circuit Design Engineer(DFT)(J16545)

长鑫存储技术有限公司

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  • 电路设计类

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岗位职责

  1. 芯片级DFT架构定义与设计:参与芯片DFT架构的定义与设计,确保芯片设计满足可测试性要求;
  2. DFT电路设计与优化:采用全定制电路设计方法和低功耗设计方法,完成DFT电路设计、仿真与优化,包括压缩测试模式、MBIST等;
  3. ATE协同与良率提升:协助测试工程师进行ATE硅片分析,调试测试failure,推动芯片良率提升;
  4. 设计与测试软硬件协同:负责DRAM DFT设计与测试软硬件协同,推动测试效率提升与测试成本缩减;
  5. 跨团队协作与指导:指导版图团队进行相关电路布局布线,协同验证团队进行电路调试和问题解决,与测试团队合作管理DFT需求与设计实现。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、集成电路或相关专业毕业,对数字/模拟电路和CMOS器件原理有深入认识;
  2. 专业技能与资格:能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA设计工具,具备混合信号电路设计和验证经验,包括电路实现、时序分析和优化;
  3. 行业与专业经验:有DDR/LPDDR DRAM产品设计和验证经验者优先,有全定制电路设计经验者优先;
  4. 项目/任务成果:主导或深度参与过至少一款芯片的DFT架构设计与实现,包括MBIST或压缩测试模式方案;
  5. 其他要求:具有良好的团队合作精神和沟通能力,学习能力强,能在灵活、充满活力的环境中自我激励。

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