岗位职责
- 电性验证与良率提升： 主导DRAM元件电性特性验证与分析，推动量产期参数波动识别与良率改善，建立并执行SPC监控体系，实时刷新异常预警规则；
- SPICE模型开发与校准： 主导spice model构建与开发，制定S2S参数定义与校准策略，动态优化模型精度，保障仿真结果匹配设计需求；
- 测试结构设计与审核： 主导Testkey需求定义与设计审核，评估layout布局合理性，推进测试结构优化以提升电性数据采集准确性与效率；
- 全流程技术协同： 主导产品从研发导入到量产爬坡的器件层面技术方案，拉通设计、工艺、测试等团队，解决开发中的器件相关瓶颈问题并建立闭环机制。
职位要求
- 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、半导体物理、电子工程等相关专业；
- 行业与专业经验：具有6年及以上半导体器件研发或元件相关工作经验，具备DRAM器件电性特性分析能力；
- 专业技能与资格：能独立编写SPC分析模块，定位异常波动根因，并能主导spice model开发与S2S参数校验，能审核layout设计规则并优化Testkey测试序列；
- 项目/任务成果：主导或牵头过至少2个量产器件相关的改善专案，完成测试结构优化或模型精度提升，并形成标准化方法论；
- 其他要求：具有主动解决高复杂度器件问题的分析与规划能力，能识别关键技术风险并推动资源解决，适应项目型研发节奏的高负荷挑战。
