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产品良率提升工程师(FT方向)-Product Yield Improvement Engineer (FT Direction)(J11914)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. FT测试架构开发:主导开发后端测试方法,构建完善的DRAM芯片测试架构,确保FT测试通过的颗粒在客户端满足品质要求;
  2. 良率分析与失效定位:利用FT数据挖掘技术对良率进行系统分析及失效分析,识别根本原因并推动改善,持续提升产品良率;
  3. 测试程序优化与效率提升:主导FT测试程序的优化,推进流程改进与测试时间缩减,持续提升测试效率并降低测试成本;
  4. 封装协同与产品规划:基于封装相关知识与对外合作方高效协同,配合市场部门完成产品产出规划,确保项目进度与供应需求对齐;
  5. 制程变更风险评估:评估Fab制程变更对产品品质的影响,主导DRB/MRB风险评估及批次处置方案制定。

职位要求

  1. 本科及以上学历,微电子、电子信息、自动化、计算机及相关理工科专业,具备半导体器件或芯片测试的基本理论;
  2. 具备数据分析和统计过程控制知识,能使用数据分析工具完成良率建模与失效分析,具有良好的英语读写能力,能独立阅读国际技术文档;
  3. 具有2年以上半导体或芯片相关领域工作经验,具备DRAM或Flash内存产品的测试开发与产品验证经历;
  4. 具有结构化的问题分析与解决能力,能跨部门协作推动项目闭环并输出清晰的技术报告。

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