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器件研发工程师-FAB TD Device Engineer(J13912)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 器件性能优化:负责特定技术节点或特定产品的Array/CMOS device性能优化工作,达成产品性能、良率及可靠性目标;
  2. 失效定位与问题解决:针对电性失效和良率损失,定位问题根源,通过工艺优化或测试调整解决问题;
  3. DOE实验设计执行:设计并执行整合层级的实验(DOE),优化整体Array制程条件;
  4. 跨部门协作:与产品工程师、良率工程师、设计部门紧密合作,进行产品性能调试和良率提升。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、电子工程、材料科学、物理等相关专业;
  2. 行业与专业经验:5年以上半导体器件研发工程经验,有先进DRAM/Array device/Logic成功研发/量产经验者优先;
  3. 专业技能与资格:深入理解半导体器件物理、制造工艺全流程及各模块的相互作用;精通半导体电性测试原理、熟悉与理解产品测试原理,DRAM相关电路功能与设计;熟练掌握SPC、DOE、FMEA、RCA等工程方法;
  4. 其他要求:优秀的项目管理和跨部门沟通协调能力;流利的英文读写能力,能进行国际技术交流。

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