岗位职责
- 高k介质/金属栅极工艺开发： 主导高k介质沉积与金属栅极堆叠工艺的研发，设计并优化薄膜工艺参数，达成目标电性能及界面质量；
- 材料评估与工艺窗口优化： 评估新型高k材料和金属栅极材料，使用DOE等方法优化工艺窗口，提升器件的驱动能力与可靠性；
- 工艺问题分析与闭环： 分析薄膜沉积过程中出现的厚度均匀性、界面缺陷或电阻率异常等问题，主导根因排查并闭环解决；
- 跨部门协同与工艺集成： 与器件、工艺整合及可靠性团队紧密协作，确保高k介质/金属栅极工艺与前后段工艺兼容，并满足电性和良率要求；
- 技术转移与量产导入： 主导高k介质/金属栅极工艺从研发向量产的平稳转移，制定工艺标准文件，减少新产品量产周期。
职位要求
- 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、物理、材料或化学等相关专业，具备扎实的薄膜沉积与栅极工程理论功底；
- 专业技能与资格：能使用ALD、PVD、CVD等薄膜沉积设备完成工艺开发，能使用XPS、TEM、XRD等分析工具完成薄膜表征，具备流利的英语读写与报告撰写能力；
- 行业与专业经验：8年以上半导体薄膜工艺研发经验，其中至少4年高k介质或金属栅极工艺开发经验，熟悉栅极工艺对器件性能的影响机制，具备技术路线规划能力；
- 项目/任务成果：主导过至少3个高k介质/金属栅极工艺从研发到量产集成的项目，独立解决过栅极漏电、等效氧化层厚度控制或界面态密度优化等关键系统性难题；
- 其他要求：具有跨部门协作与技术把关能力，能在研发周期紧张的情况下主动推动问题解决并达成技术目标，能指导初级工程师并带动团队技术能力提升。
