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内存功耗与性能测试工程师-Memory Power Consumption and Performance Test Engineer(J19575)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 功耗测试流程搭建:主导DDR/LPDDR DRAM功耗与性能测试分析,针对手机端DOU场景设计并实施标准化测试流程,输出测试结果与优化建议;
  2. 模型搭建与验证:分析DRAM工作原理,针对不同系统应用场景完成功耗模型的搭建、校准与验证,为产品前期功耗预估提供数据支撑与决策依据;
  3. 根因分析与优化:研究平台电压、工作频率、工作模式等关键因素对DRAM功耗的影响机制,定位功耗异常及时序裕量不足等复杂问题,输出根因分析报告与改善方案;
  4. 跨团队协作闭环:协同电路设计、模组设计等团队推动功耗优化措施落地,完成问题闭环与技术方案评估;
  5. 方法沉淀与数据库建设:沉淀测试方法,建设功耗数据库,迭代模型精度与测试效率,保障新品内存功耗指标达标。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,电子/集成电路/电子工程等相关专业;
  2. 专业技能与资格:能使用功耗测试工具完成DRAM功耗与性能分析,能搭建并校准功耗模型,具备C语言或脚本编写能力,能处理测试数据分析;
  3. 行业与专业经验:具备3年及以上半导体或内存功耗与性能测试分析经验,有从测试规划到根因分析的全流程经验,有SoC或存储芯片功耗分析与优化经验者优先;
  4. 项目/任务成果:主导过至少2个DRAM功耗测试项目,完成模型搭建与验证并推动优化落地;
  5. 其他要求:具有系统性拆解复杂功耗问题的能力,能在快节奏研发环境中保持高效工作。

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