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预研器件工程师-Pathfunding Device Engineer(J15377)

长鑫存储技术有限公司

  • 安徽省·合肥市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 器件建模与仿真:根据产品设计需求和工艺能力,开展DRAM Array及BL Selector等晶体管器件的建模仿真,为器件选型、TEG/Mini Array设计及MTS/EDR Target制定提供依据,支持研发项目出带工作;
  2. 测试方案制定与执行:制定DRAM器件实验Lot的NP、Bench及WAT电性测试方案,追踪Lot状态并协调资源完成测试任务;
  3. 器件问题分析与优化:分析DRAM晶体管器件WAT数据,结合Bench测试和FA,解析器件问题及其物理机制,为器件参数优化指明方向;
  4. 跨部门工艺协作优化:与工艺工程师和整合工程师合作,优化各工艺条件,持续提升器件性能;
  5. 设计团队对接:与设计团队保持沟通,确保器件与电路设计相关信息良性交互。

职位要求

  1. 教育背景与专业知识:硕士研究生及以上学位;
  2. 微电子、物理或材料等工科相关专业;
  3. 具备良好的半导体器件物理基础;
  4. 行业与专业经验:2年以上器件或设计相关工作经验;
  5. 能使用TCAD等器件仿真工具完成建模仿真任务;
  6. 项目/任务成果:主导或深度参与过至少1项器件优化项目;
  7. 具有器件优化Silicon实战经验者优先;
  8. 其他要求:工作态度积极认真;
  9. 具有良好的团队协作能力与数据分析能力。

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