岗位职责
- 蚀刻工艺开发与窗口构建： 主导3D堆叠及TSV蚀刻工艺的开发与验证，结合产品结构与材料特性，制定满足刻蚀速率、选择比及形貌控制要求的工艺方案；
- DOE设计与参数优化： 主导蚀刻工艺DOE实验设计，系统分析气体流量、功率、压力及温度等关键参数对蚀刻效果的影响，确定并固化可量产复现的工艺窗口；
- 异常分析与良率提升： 主导蚀刻制程中的异常排查与缺陷分析，协同整合团队定位根因并推动改善，持续提升工艺能力指数与产品良率；
- 设备导入与产能建设： 主导蚀刻设备（涵盖AMAT、LAM、NAURA、AMEC等平台）的功能评估、厂验收与工艺调试，建立设备验收标准与产能基线，保障产能快速释放与稳定运行；
- 技术沉淀与标准化： 主导蚀刻工艺参数标准化与操作规范建设，迭代更新标准流程与工艺案例库，沉淀蚀刻工艺经验，提升团队整体技术能力。
职位要求
- 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子/物理/化学/材料等专业，具备扎实的等离子体蚀刻原理与半导体器件物理知识；
- 专业技能与资格：能使用AMAT、LAM、NAURA、AMEC等蚀刻设备完成工艺开发与参数优化，具备DOE实验设计与数据分析能力，能阅读英文技术文献与设备手册；
- 行业与专业经验：10年以上前段fab蚀刻工艺经验，其中包含后端（BEOL）蚀刻开发经历，有3D堆叠或TSV相关蚀刻工艺开发经验者优先；
- 项目/任务成果：主导或作为核心成员完成至少2个蚀刻工艺开发或良率改善项目，具备3D集成或TSV工艺开发的量化交付案例；
- 其他要求：具有系统性分析与跨部门协作能力，能主动推动技术风险闭环，工作严谨细致，具备自驱学习与技术创新意识。
