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器件研发(BJ)(J20821)

长鑫存储技术有限公司

  • 北京市
  • 研发技术类

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岗位职责

  1. 逻辑器件开发:完成DRAM逻辑器件设计及工艺开发,确保器件性能满足设计规格;
  2. 核心区器件优化:完成DRAM核心区器件设计及优化,提升存储密度与电性表现;
  3. TCAD仿真分析:执行制程工艺TCAD仿真,为工艺参数优化和器件结构设计提供支撑;
  4. 器件工艺开发:推进器件工艺开发,实现工艺整合与关键模块的稳定性;
  5. 可靠性评估改进:实施先进DRAM可靠性评估与改进,保障器件长期工作稳定性。

职位要求

  1. 学历要求:硕士及以上,博士优先;
  2. 专业要求:微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业;
  3. 其他要求: • 具有英语能力,能使用英语完成听说读写,通过CET-6; • 具有半导体存储相关课题研究或相关专利经验,能独立完成器件设计与工艺开发任务; • 具有学习能力与团队合作意识,能在跨部门协作中承受工作压力。

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