岗位职责
- 核心技术学习:通过系统化培训与多岗位轮岗,掌握存储芯片设计、制造、测试全链路核心技术;
- 项目实践攻关:参与前沿DRAM设计研发、DRAM良率提升攻关、新型存储器材料研发,新型存储技术和系统等关键课题,输出高价值技术方案;
- AI应用开发:推动半导体制造AI应用开发,包括缺陷检测、良率分析与工艺优化,系统设计优化等,提升制程智能化水平;
- 前沿工艺研发:以核心技术骨干角色主导或参与全球领先DRAM前沿工艺研发,推动存储技术创新与突破;
- 技术交流与迭代:定期参与技术论坛与产业专家对话,复盘项目成果并迭代技术方案。
职位要求
- 学历要求:博士;
- 专业要求:微电子、电路设计、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业;
- 其他要求: • 具有国家级奥赛金银牌获奖经历或所在专业领域突出成就(如国际顶级期刊论文发表经历); • 具有开放思维与探索精神,能主动钻研技术难题并提出创新解决方案; • 具有追求卓越与持续拓展能力边界的行为表现,能通过快速学习适应新任务; • 具有跨学科应用研究经历(如AI结合半导体制造),能推动技术融合与创新。