器件研发（技术联培生）(J21028)

岗位定位：针对工艺、工艺整合、器件三个核心方向，面向应届毕业生设立的高潜人才专项计划，将在入职后在以上三个方向进行轮岗培养，最终定岗方向结合个人发展意愿、能力特质与公司业务需求等综合确定。 您将获得：主导或参与至少1个跨模块综合技术改进项目（如良率提升专项、工艺流程优化专项、新器件开发专项），承担项目子课题负责人角色；独立完成各轮岗阶段的技术总结报告与汇报，接受导师团队（由工艺、整合、器件方向资深专家组成）的阶段性考核与反馈。

1. 逻辑器件开发：完成DRAM逻辑器件设计及工艺开发，确保器件性能满足设计规格；
2. 核心区器件优化：完成DRAM核心区器件设计及优化，提升存储密度与电性表现；
3. TCAD仿真分析：执行制程工艺TCAD仿真，为工艺参数优化和器件结构设计提供支撑；
4. 器件工艺开发：推进器件工艺开发，实现工艺整合与关键模块的稳定性；
5. 可靠性评估改进：实施先进DRAM可靠性评估与改进，保障器件长期工作稳定性。

1. 学历要求：博士；
2. 专业要求：微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业；
3. 其他要求： • 具有英语能力，能使用英语完成听说读写，通过CET-6； • 具有半导体存储相关课题研究或相关专利经验，能独立完成器件设计与工艺开发任务； • 具有学习能力与团队合作意识，能在跨部门协作中承受工作压力。